韩国科技巨头三星电子正考虑对其在陕西省西安市的第二座半导体项目代工厂加注投资。但目前中美贸易战火未歇，也为三星的追加投资西安工厂计划增加了不确定性……
据证券和半导体行业消息人士透露，三星电子计划在明年将内存芯片设施的资本支出增加至65亿美元（合462亿元人民币），预计增加的部分资金将用于其位于西安的第二家半导体工厂。此外，三星电子将在年底宣布这项投资计划。
此前，在2014年竣工的三星西安工厂，已经完全实现产能满载，仍然无法满足NAND闪存供应需求。2017年8月，三星电子与陕西省政府签署了建设二工厂的谅解备忘录。三星还表示，计划在2020年为止的三年内投资一工厂和二工厂共计70亿美元（8．38万亿韩元）。
按照“三年之约”，三星必须在明年8月前完成投资，还要全面运营西安二工厂的生产线。据了解，三星西安二工厂的新生产线设备已安装完毕并已经开始试运行，预计明年2月可以实现量产。
业内人士认为，三星电子的额外投资计划将为当前供过于求的NAND闪存市场带来更多不确定性，并且可能成为竞争加剧的NAND市场的差异化战略。
与DRAM不同，NAND闪存市场正在逐渐显示出复苏的迹象。DRAMeXchange的数据显示，上个月底，128Gb多级单元（MLC）NAND闪存产品的价格为4．11美元（4，918韩元），与上个月相比变化不大。该数字在7月底两年来首次上升，8月也增长了2％以上。
报道指出，目前在NAND闪存市场上，三星电子、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔之间竞争激烈，但尽管三星电子的加码投资和扩张生产不会对市场产生太大影响，一方面由于其他公司正在减产，三星电子也可以因此获得更多的市场份额。
