当然碳化硅MOSFET门极驱动是一个设计难点，因为碳化硅器件本身损耗小，开关频率可以设计到500KHz级别，所以驱动信号会非常快，除了电源绝缘，还要做好信号的绝缘隔离处理。高频信号也带来了电磁干扰问题，“抗干扰和抑制干扰都会变得头痛，工程师必须面对EMI问题，否则就会误触发引起器件失控。电路板的高频优化和多点接地系统设计也变成难点，系统设计既要进行时域分析，又要进行频域分析。”
安森美半导体Jon Gladish强调安全始终是功率器件应用的主要考虑因素，尤其是高电压、大电流的大功率器件。“UL认为，高于60V的电压接触到人体，将造成伤害，甚至会导致死亡，所以大功率器件在应用时，必须要充分考虑安全设计，满足爬电距离和电气间隙要求是高压器件应用安全的首要条件。”高压引脚周围的灰尘和异物也存在危害，功能缺陷更要注意排查。
由于大功率器件在工作中会产生大量的热，所以也需要特别注意其散热设计，尽可能减少由热膨胀失配引起的机械应力，以免发生危险。对如何进行散热设计，Jon Gladish提到几点：符合规范的PCB布局布线（PCB线的宽度、厚度和直径等因素都要考虑），优良的散热架构，选择热阻更小的封装材料等。
瑞萨电子落合康颜表示，高压大电流应用中，往往不是单个芯片来承担大电流，对于两个或多个芯片并联使用场景，最重要的是控制多个芯片之间的特性偏差。“芯片特性偏差产生电流偏差，电流集中的芯片将会出现过热甚至损毁的状况，所以控制器件制造工艺偏差非常关键。”
常见失效模式
功率器件失效往往会带来比较严重的后果。尤其在不间断电源、太阳能逆变器、电信和充电桩等工业应用中，如果功率器件在设备运行时出现故障，将可能导致多种二次故障，例如熔化、起火或者爆炸。“所以通常情况，工业系统有过压保护（OVP）金额过流保护（OCP）等故障检测功能，”Jon Gladish表示，依靠故障检测功能，出现功率器件失效情况时，系统可以及时切断供电，从而避免二次故障。
Jon Gladish总结了5种常见的功率器件失效模式：雪崩击穿；静电放电（ESD）或门极浪涌；体二极管反向恢复电流过大。可能会触发寄生BJT；长期工作在线性区，由于电流过大而导致的热失控；装配不当造成的封装损害。
落合康颜认为，根据瑞萨电子的统计，客户的失效问题90%以上是由于过电压或过电流造成的损坏，特别是IGBT和MOSFET等开关器件，在开关过程中发生的失效极多。“为防止此类失效，采用适当的驱动条件，并尽力抑制PCB寄生电感。”
“器件最常见的失效就电压击穿，短路烧毁，所以器件抗浪涌的能力必须强，抗冲击能力必须强。另外耐受电压的能力也要高。短路失效使我们最头疼的问题，因为器件短路对电源的沙胜利最大，可能会把整个电路板烧毁，甚至引起火灾。”杜尧生举了一个例子，工厂里运行的变频器通常是六个桥臂顺序工作，如果因为器件失效引发上下桥短路，没有保护的管子就会炸掉。“功率器件的短路保护是非常重要的设计环节，驱动板都会设定短路保护的时间，功率器件也会有最大短路电流标称。”