初期的IGBT存在了很多不足的地方，使应用受到了极大的限制。其后人们针对其存在的不足，作了不断改进。行内习惯按改进次序排列，现今IGBT已进入到第六代。可以这么说每一次改进都有一个飞跃。
了解一下半导体
虽然IGBT的应用者需要了解的只是IGBT规格、型号、性能、参数和应用须知就够了，但不妨了解一下半导体器件最基本的知识对阅读本文是有帮助的。
IGBT是一种功率半导体器件。器件的制作就是在薄薄的一层均匀的半导体硅晶片中按设计方案用特定的工艺手段做成不同功能的若干小区域(可能大家已有了解的所谓PN结、高阻层、高浓度杂质低阻区、绝缘层、原胞、发射极、集电极、栅极等)，而且按要求连接成回路。各个小的功能区的厚薄、大小、位置、杂质性质、杂质浓度甚至杂质浓度分布如浓度梯度都会给器件性能带来极大的影响。所有半导体器件(含微电子、集成电路等)设计和制作就是在硅晶片中做这样的结构文章。如何去制作不同结构的小区域(即晶片内结构)，则需用各种半导体制作工艺(如扩散工艺、外延工艺、离子注入工艺、辐照工艺、光刻工艺、沟槽工艺等)及相关的专用设备和工艺条件(如不同级别的原料、辅料及洁净厂房等)。举例说来，同是功率半导体器件的可控硅和IGBT芯片结构就大不一样。可控硅电流再大、电压再高，只有一个单独的芯片。IGBT则是利用MOS集成电路工艺，在一个大硅晶片上制成若干个可分割的芯片，每个芯片中又有不少的同样结构的原胞并联组成(见下图)，然后在封装时根据需要把芯片组成回路或把芯片并联制成大电流的单管、桥臂等模块。此例只是两者芯片内结构差异中的一个小例而已，其它差异多得是，不胜枚举。
IGBT的发展过程
IGBT中文名为“绝缘栅双极型晶体管”，是一种MOS功率器件(MOSFET)和大功率双极型晶体管(GTR)混合型电力电子器件。它的控制信号输入是MOS型的，与器件的晶片绝缘(常称绝缘栅)，利用感应原理输入信号。20世纪七十年代出现的MOSFET就是这样一种输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的MOS器件。它的缺点是导通电阻大、电流通过能力受到限制，还有器件承受工作电压能力也极其有限。当人们把MOSFET绝缘栅技术结合到大功率双极型晶体管(GTR)上就出现了面目全新的IGBT，当时从原理上论证它应该具有电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强、开关速度快等优点。但实际并非如此，甚至第一代IGBT在改进前实用意义不大。于是从上世纪八十年代中到本世纪初这二十年中，IGBT在上述两者结合的基础上走过了六次大改进的路程，常称六代(德国称四代)。这个过程是很艰苦的，面对的是大量的结构设计调整和工艺上的难题。下表概括了六次改进所采取的技术措施和改进后的效果。
六代IGBT的变迁与特性改进表